新光速談改善拋光墊性能的途徑－－溝槽

目前,化學(xué)機(jī)械拋光是硅片加工和多層布線層間平坦化中最終獲得納米級(jí)超光滑無(wú)損傷表面的最有效工藝方法,也是能夠?qū)崿F(xiàn)局部和全局平坦化的實(shí)用技術(shù)。拋光墊是CMP系統(tǒng)的重要組成部分,也是的主要消耗品。拋光墊的表面結(jié)構(gòu)和組織直接影響拋光墊的性能,進(jìn)而影CMP過(guò)程及加工效果。

   拋光墊表面開溝槽是改善拋光墊性能的主要途徑之一。拋光墊溝槽的形狀、尺寸及溝槽分布等因素對(duì)CMP加工區(qū)域中的拋光液流量、壓力及其分布等產(chǎn)生重要影響。但目前對(duì)拋光墊溝槽的制作工藝以及溝槽在CMP過(guò)程中的作用機(jī)理和對(duì)拋光效果的影響等方面的研究報(bào)道很少。應(yīng)用激光刻蝕原理加工拋光墊表面溝槽的新工藝,并利用該工藝制作出同心圓形、方格形以及漸開線形等不同形式的溝槽,實(shí)驗(yàn)研究了溝槽的形狀、尺寸及溝槽分布等因素對(duì)CMP效果的影響。